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HC1M320120D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M320120D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-4L封装，询盘确认库存，该款碳化硅场效应管（MOSFET），标识为ID:7A，拥有1200V的漏源击穿电压（VDSS），确保了在高压应用中的可靠性。作为一款N沟道器件，它具备320毫欧姆的导通电阻（RDON），能够在导通状态下有

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MPN: HC1M320120D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247-4L
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC1M320120D

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