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HC1M30065D HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M30065D，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，此款碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备高达97A的电流处理能力（ID），并能承受最高650V的漏源电压（VDSS）。其出色的导通电阻（RDON）仅为30毫欧，这意味着在导通状态下能够显著降低能量损耗

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MPN: HC1M30065D
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HC1M30065D

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