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HC1M15120S HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1M15120S，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，SOT-227封装，询盘确认库存，此款碳化硅场效应管（MOSFET）具备125A的电流承载能力（ID），并且拥有高达1200伏特的最大漏源电压（VDSS），适用于需要高电压耐受性和大电流通过的应用场景。其低至15毫欧姆的导通电阻（RDON）有助

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MPN
HC1M15120S
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
SOT-227
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC1M15120S
公开引用边界

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