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HC1D20065G HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HC1D20065G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-263封装，询盘确认库存，这款碳化硅二极管具备卓越的电气特性，其最大工作电流IF可达20安培，反向击穿电压VR高达650伏特，正向电压降VF仅为1.3伏特，能够在高频率与严苛条件下保持稳定性能。适用于需要高效能与可靠性的电路设计中，如电源转换、逆变以及其他对效率和热性能

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MPN
HC1D20065G
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HC1D20065G
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