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HBCP56T1G HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

HBCP56T1G，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，SOT-223封装，询盘确认库存，该款NPN型三极管（BJT）具备1A的集电极最大电流（IC）承载能力和80V的最高集电极发射极电压（VCEO），适合用于各种电路设计。其共射极电流增益（HFE）在100至250之间，适用于要求稳定的放大场合。此外，该三极管

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MPN: HBCP56T1G
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-223
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HBCP56T1G

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