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HB10P680S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB10P680S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：VDS = -100 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 54 mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。 改善的dv/dt能力，高耐用性。应用：功率开关应用。 负载开关