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HB10N200S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB10N200S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

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