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HB06N750S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB06N750S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：VDS = 60 V。 ID = 12 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 75 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 90 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 负载开关

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MPN
HB06N750S
品牌/制造商
R+O(宏嘉诚)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HB06N750S
公开内容边界

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