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HB04N040S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB04N040S,R+O(宏嘉诚),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,特性:VDS = 40V。ID = 100A。RDS(on)@VGS = 10V < 4mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用:电源开关应用。负载开关

MPN
HB04N040S
品牌/制造商
R+O(宏嘉诚)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/HB04N040S
公开内容边界

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