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HB03N060S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB03N060S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

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MPN: HB03N060S
品牌/制造商: R+O(宏嘉诚)
封装: TO-252
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HB03N060S

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