PUBLIC PAGE SUMMARY

HB03N056S R+O(宏嘉诚) 现货与清单询价

HB03N056S，R+O(宏嘉诚)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

打开完整页面商品详情数量阶梯核价

MPN: HB03N056S
品牌/制造商: R+O(宏嘉诚)
封装: TO-252
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/HB03N056S

公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选 BOM询价库存Feed