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H7N65D Huixin(慧芯) 现货与清单询价
H7N65D,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-220F封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:7A,导通电阻:1400mΩ@10V,耗散功率:40W,MOSFET产品,ESD防护。
- MPN
- H7N65D
- 品牌/制造商
- Huixin(慧芯)
- 封装
- TO-220F
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/H7N65D
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