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H3N80D Huixin(慧芯) 现货与清单询价

H3N80D，Huixin(慧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道，漏源电压：800V，连续漏极电流：3A，导通电阻：3.8Ω@10V，耗散功率：75W，MOSFET产品，ESD防护。