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H18N20D Huixin(慧芯) 现货与清单询价

H18N20D，Huixin(慧芯)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，N沟道，漏源电压：200V，连续漏极电流：18A，导通电阻：120mΩ@10V，耗散功率：83W，MOSFET产品，ESD防护。