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H12N65IK Huixin(慧芯) 现货与清单询价

H12N65IK,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),TO-220AB封装,询盘确认库存,N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:12.3A,导通电阻:320mΩ@10V,耗散功率:106W,MOSFET产品,ESD防护。

MPN
H12N65IK
品牌/制造商
Huixin(慧芯)
封装
TO-220AB
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/H12N65IK
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