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H10N65F Huixin(慧芯) 现货与清单询价

H10N65F，Huixin(慧芯)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，场效应管(MOSFET):N沟道,漏源电压:650V,连续漏极电流:10A,导通电阻1.0Ω@10V,耗散功率:32W

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