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H08P6D Huixin(慧芯) 现货与清单询价
H08P6D,Huixin(慧芯),三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-252封装,询盘确认库存,P沟道,漏源电压:60V,连续漏极电流:8.8A,导通电阻:160mΩ@10V,耗散功率:42W,MOSFET产品,ESD防护。
- MPN
- H08P6D
- 品牌/制造商
- Huixin(慧芯)
- 封装
- TO-252
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/H08P6D
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