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GT40QR21(STA1,E,D TOSHIBA(东芝) 现货与清单询价

GT40QR21(STA1,E,D,TOSHIBA(东芝),三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块,TO-3P-3封装,询盘确认库存,特性:第6.5代。 RC-IGBT由一个在IGBT芯片中单片集成的续流二极管组成。 增强模式。 高速开关 IGBT:tf = 0.20 μs(典型值)(IC = 40 A) FWD:trr = 0.60 μs(典型值)

MPN
GT40QR21(STA1,E,D
品牌/制造商
TOSHIBA(东芝)
封装
TO-3P-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/GT40QR21(STA1%2CE%2CD
公开内容边界

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