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GT025N06M GOFORD(谷峰) 现货与清单询价

GT025N06M，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-263封装，询盘确认库存，类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：60V@@连续漏极电流(Id)：170A@@阈值电压(Vgs(th))：2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.15mΩ@10V 2.7mΩ@4.5V @@封装：TO-263

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MPN
GT025N06M
品牌/制造商
GOFORD(谷峰)
封装
TO-263
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/GT025N06M
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