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GC3M0065090D SUPSiC(国晶微半导体) 现货与BOM询价

GC3M0065090D，SUPSiC(国晶微半导体)，碳化硅(SiC)器件 > 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247-3封装，询盘确认库存，特性：高阻断电压，低导通电阻。 高速开关，低电容。 快速本征二极管，低反向恢复（Qrr）。 无卤，符合RoHS标准。应用：可再生能源。 EV电池充电器

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GC3M0065090D
品牌/制造商
SUPSiC(国晶微半导体)
封装
TO-247-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/GC3M0065090D
公开引用边界

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