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GBJ2002-F DIODES(美台) 现货与清单询价
GBJ2002-F，DIODES(美台)，二极管 > 整流桥，GBJ封装，询盘确认库存，特性：玻璃钝化芯片结构。 高外壳介电强度：最小1500VRMS。 低反向漏电流。 浪涌过载额定值达240A峰值。 适用于印刷电路板应用。 UL认证，文件编号E94661。 无铅表面处理/符合RoHS标准
- MPN
- GBJ2002-F
- 品牌/制造商
- DIODES(美台)
- 封装
- GBJ
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/GBJ2002-F