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GAN041-650WSBQ-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

GAN041-650WSBQ-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本N沟道场效应管（MOSFET）具有高性能开关与导通能力，适用于多种高功率电子系统。其漏源电压（VDSS）为650V，支持高压环境下的稳定运行；最大漏极电流（ID）可达49A，满足较大功率输出需求