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G3R75MT12J-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

G3R75MT12J-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID:30A，拥有1200V的漏源击穿电压VDSS，适用于高要求的电力转换场景。其导通电阻RDON为75mΩ，在保证低损耗的同时提升了能效。栅极与源极间

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MPN
G3R75MT12J-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G3R75MT12J-HXY
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