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G3R160MT12D-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

G3R160MT12D-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流（ID）为19A，导通电阻（RDON）低至160mΩ，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。碳化硅材料的使

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MPN
G3R160MT12D-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G3R160MT12D-HXY
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