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G3F45MT06J-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

G3F45MT06J-TR-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为36mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频工作条件下仍能保持较低的

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MPN
G3F45MT06J-TR-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G3F45MT06J-TR-HXY
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