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G200N10K GOFORD(谷峰) 现货与清单询价

G200N10K，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：60A 阈值电压(Vgs(th))：1.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：13mΩ@10V 13.5mΩ@4.5V 封装：TO-252

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MPN
G200N10K
品牌/制造商
GOFORD(谷峰)
封装
TO-252
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G200N10K
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