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G18NP06Y GOFORD(谷峰) 现货与清单询价

G18NP06Y，GOFORD(谷峰)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252-4Dual封装，询盘确认库存，类型：N+P沟道 漏源电压(Vdss)：60V/-60V 连续漏极电流(Id)：18A/-18A 阈值电压(Vgs(th))：2.5V/-3.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：26mΩ/33mΩ@10V 30mΩ@

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MPN
G18NP06Y
品牌/制造商
GOFORD(谷峰)
封装
TO-252-4Dual
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/G18NP06Y
公开内容边界

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