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FMMT493QTA DIODES(美台) 现货与清单询价

FMMT493QTA，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT)，TO-236-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型：FMMT593。 完全无铅且完全符合 R

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MPN
FMMT493QTA
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
TO-236-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FMMT493QTA
公开引用边界

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