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FGH75T65SHD-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FGH75T65SHD-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备75A的集电极电流（Ic）和650V的集射极击穿电压（Vces），可满足中高功率应用场景的需求。器件的集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有助于提升导通效率并减少能量损耗

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MPN: FGH75T65SHD-F155-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/FGH75T65SHD-F155-HXY

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