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FGH75N60SFTU-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FGH75N60SFTU-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，该IGBT模块典型集电极电流为75A，集射极击穿电压达650V，具备较高的电流承载与耐压能力。导通状态下，集射极饱和电压为1.6V，有助于减少功率损耗。内部续流二极管可承受75A正向电流，正向压降为1.85V，

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MPN
FGH75N60SFTU-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FGH75N60SFTU-HXY
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