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FGH40T65SHD-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FGH40T65SHD-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本款IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）与650V的集射极击穿电压（Vces），适用于多种中高功率电能转换场景。其集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.6V，有效降低导通损耗，提升整体效率。