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FGH40T120SMD-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FGH40T120SMD-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，三极管/MOS管/晶体管 / IGBT管/模块，TO-247封装，询盘确认库存，本IGBT管/模块具备40A的集电极电流（Ic）和1200V的集射极击穿电压（Vces），适用于中高功率电力电子系统。导通时集射极饱和电压（VCE(sat)）为1.7V，有助于实现较低的导通损耗。内部

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MPN
FGH40T120SMD-F155-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FGH40T120SMD-F155-HXY
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