PUBLIC PAGE SUMMARY

FFSH20120A-F085-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FFSH20120A-F085-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，二极管 / 碳化硅二极管，TO-247-2L封装，询盘确认库存，该碳化硅二极管为独立式单体结构，额定正向电流（IF）为20A，反向重复耐压（VR）达1200V，具备较高的电压阻断能力。其正向导通压降（VF）典型值为1.4V，在高频率工作条件下可有效降低导通损耗。得益于碳化硅材料的宽禁