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FDPF15N65-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FDPF15N65-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220F封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源额定电压，15A的连续漏极电流能力，以及260mΩ的低导通电阻，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳

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FDPF15N65-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220F
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FDPF15N65-HXY
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