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FDN302P(UMW) UMW(友台半导体) 现货与清单询价

FDN302P(UMW)，UMW(友台半导体)，三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)，SOT-23封装，询盘确认库存，特性：该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化，具有宽范围的栅极驱动电压（2.5V-12V）。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON)：55mΩ（VGS