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FDD1600N10ALZ(UMW) UMW(友台半导体) 现货与清单询价

FDD1600N10ALZ(UMW)，UMW(友台半导体)，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-252封装，询盘确认库存，特性：采用先进工艺生产，可最大限度降低导通电阻并保持出色的开关性能。 漏源电压（VDS）：100V。 导通电阻（RDS(ON)）：当栅源电压（VGS）为10V时为124mΩ；当栅源电压（VGS）为5V时为175m