PUBLIC PAGE SUMMARY

FCP190N65S3R0-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FCP190N65S3R0-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-220C封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控

打开完整页面 商品详情数量阶梯核价
MPN
FCP190N65S3R0-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-220C
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FCP190N65S3R0-HXY
公开内容边界

本页提供公开页面摘要，便于快速读取主要字段；需要完整说明和后续操作，请进入完整页面。库存、价格、批号、包装、交期、检测资料和含税报价均以业务确认结果为准。

订购后缀说明合规资料说明货源溯源说明样品试产说明交期分批说明资料页替代候选BOM询价库存Feed