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FCHD040N65S3-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FCHD040N65S3-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能指标，适用于高功率应用场景。其漏源电压VDSS可达650V，最大漏极电流ID为49A，导通状态下的源漏电阻RDON低至33mΩ，有效降低导通损