PUBLIC PAGE SUMMARY
FCH190N65F-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价
FCH190N65F-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源电压耐受能力达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频电
- MPN
- FCH190N65F-F155-HXY
- 品牌/制造商
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 封装
- TO-247
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/FCH190N65F-F155-HXY