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FCH041N65F-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FCH041N65F-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗，

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MPN
FCH041N65F-F155-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-247
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/FCH041N65F-F155-HXY
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