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FCH040N65S3-F155-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

FCH040N65S3-F155-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-247封装，询盘确认库存，本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高效率、高功率密度的电源

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MPN: FCH040N65S3-F155-HXY
品牌/制造商: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
库存状态: 询盘确认
资料入口: /datasheet/FCH040N65S3-F155-HXY

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