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F13N50L 晶导微电子 现货与清单询价
F13N50L,晶导微电子,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-220F-3L封装,询盘确认库存,这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术,降低了传导损耗,改善了开关性能,并提高了雪崩能量。符合RoHS标准。
- MPN
- F13N50L
- 品牌/制造商
- 晶导微电子
- 封装
- TO-220F-3L
- 库存状态
- 询盘确认
- 资料入口
- /datasheet/F13N50L
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F13N50L,晶导微电子,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-220F-3L封装,询盘确认库存,这些N沟道增强型VDMOSFET采用自对准平面技术,降低了传导损耗,改善了开关性能,并提高了雪崩能量。符合RoHS标准。