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F10N60L 晶导微电子 现货与清单询价

F10N60L，晶导微电子，三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET)，TO-220F-3L封装，询盘确认库存，这些 N 沟道增强型 VDMOSFET 采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。它们符合 RoHS 标准。