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DSS3540M-7B DIODES(美台) 现货与清单询价

DSS3540M-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO >-40V。 集电极电流高：IC =-500mA。 峰值脉冲电流：ICM =-1A。 功耗：PD = 1000mW。 集电极-发射极饱和电压低。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，