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DP0150BLP4-7B DIODES(美台) 现货与清单询价

DP0150BLP4-7B，DIODES(美台)，三极管/MOS管/晶体管 / 三极管(BJT)，DFN-3封装，询盘确认库存，特性：BVCEO > -50V。 高集电极电流：Ic = -100mA。 功率耗散：Pd = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 低封装高度：0.4mm，减少板外轮廓。 互补NPN类型：DN0150BL