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DN0150ALP4-7B DIODES(美台) 现货与BOM询价

DN0150ALP4-7B,DIODES(美台),三极管/MOS管/晶体管 > 三极管(BJT),DFN-1006-3封装,询盘确认库存,特性:BVCEO > 50V(IC = 100mA)。 高集电极电流。 PD = 1000mW 功率耗散。 0.60mm²封装占位面积,比SOT23小13倍。 0.4mm高度封装,减少板外轮廓。 互补PNP类型。 完全无铅

MPN
DN0150ALP4-7B
品牌/制造商
DIODES(美台)
封装
DFN-1006-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/DN0150ALP4-7B
公开引用边界

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