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CS6N80ARR-G 华润华晶 现货与清单询价

CS6N80ARR-G,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET),TO-262-3封装,询盘确认库存,CS6N80 ARR-G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高效率。

MPN
CS6N80ARR-G
品牌/制造商
华润华晶
封装
TO-262-3
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/CS6N80ARR-G
公开引用边界

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