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CS12N06AE-G 华润华晶 现货与清单询价

CS12N06AE-G,华润华晶,三极管/MOS管/晶体管 / 场效应管(MOSFET),SOP-8封装,询盘确认库存,CS12N06 AE - G是采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),它运用高密度沟槽技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,并增强了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,以实现系统小型化和更高

MPN
CS12N06AE-G
品牌/制造商
华润华晶
封装
SOP-8
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/CS12N06AE-G
公开内容边界

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