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CMS120N080B-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

CMS120N080B-HXY，HXY MOSFET(华轩阳电子)，碳化硅(SiC)器件 / 碳化硅场效应管(MOSFET)，TO-263-7L封装，询盘确认库存，ID:30A是一款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)，具备1200V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效能电力转换应用。其导通电阻(RDON)为75毫欧姆，确保了在高电压条件下的低能量损耗和高

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MPN
CMS120N080B-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
TO-263-7L
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/CMS120N080B-HXY
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