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C6D10065Q-TR-HXY HXY MOSFET(华轩阳电子) 现货与清单询价

C6D10065Q-TR-HXY,HXY MOSFET(华轩阳电子),二极管 / 碳化硅二极管,DFN-5B封装,询盘确认库存,该碳化硅二极管为独立式器件,具备10A的正向电流(IF)和650V的反向重复峰值电压(VR),正向压降(VF)低至1.37V。采用碳化硅材料,具有优异的热稳定性和高频开关特性,反向恢复时间极短,漏电流小。该器件适用于高密度电源系统,

MPN
C6D10065Q-TR-HXY
品牌/制造商
HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装
DFN-5B
库存状态
询盘确认
资料入口
/datasheet/C6D10065Q-TR-HXY
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